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PDFN/TOLL/TO等封装的大电流大功率半导体器件MOS场效应管老化测试座测试夹具工装老化插座socket
老化座特点: ①该老化座采用PEI耐高温塑胶材料注塑成型,适用于长时间高温高湿(85%HR,175℃)环境下老化(htol/hast)且交期短; ②采用按压式结构,适用于自动化设备大批量放取MOS场效应管器件,大大提高测试效...
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DFN8-1.27一拖十六老化测试座 适用于自动化设备
型号: DFN8/10一拖十六旋钮下压式老化座
品牌: HMILU
产地: 中国大陆
适用场景: 测试,烧录,编程,老化
封装方式: QFN
引脚间距: 1.27/0.8/0.5mm
本体尺寸 : 6*8/5*6等
引脚数:...
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QFN80-0.4测试座翻盖弹片老化座芯片镀金编程座IC549-0604适配器
1、型号:QFN-80-0.4
2、引脚间距(mm):0.4
3、脚位:80
4、芯片尺寸:9*9
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[新闻中心]PDFN/TOLL/TO等封装的大功率半导体器件MOS场效应管如何进行老化测试
2022年03月17日 10:18
功率器件及第三代半导体是当前的半导体产业技术追逐的热点,也是国内半导体产业中最有希望能够赶超世界先进技术的领域之一。 现在众多国产功率半导体厂商已经在材料、设计、制造、封测等各个环节成功突围,逐渐形成自主可控的完整产业链。但是在产业最上游的高端封装设备领域,却仍以国外企业为主导,为加速推动功率半导体高端封装,制造设备国产化进程已经刻不容缓。 伴随着功率半导体时代到来,Clip Bond封装工艺在此可以说是大有作为,相对数字集成电路而言,功率半导体并不是单纯追求线宽的缩小,且生
阅读(102)
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