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鸿怡电子带您详细了解关于半导体芯片可靠性测试与芯片测试座socket

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浏览:- 发布日期:2023-05-15 10:04:14【

一、加速度测试

大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。 但我们不能等到若干年后再研究器件;我们需要增加施加的应力。 施加的应力可增强或加快潜在的故障机理,帮助找出根本原因,并帮助 TI 采取措施防止故障模式。

在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。 在大多数情况下,加速测试不改变故障的物理特性,但会转移观察时间。 加速条件和正常使用条件之间的转移称为“降额”。

In(Time)

高加速测试是基于 JEDEC 资质认证测试的关键部分。 以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JESD47 的高加速条件。 如果产品通过这些测试,则表示器件能用于大多数使用情况。


芯片可靠性测试参考

根据 JESD22-A104 标准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的变换。 进行该测试时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。1、温度循环

2、高温工作寿命 (HTOL)

HTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。 该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。

3、温湿度偏压 (THB)/偏压高加速应力测试 (BHAST)

根据 JESD22-A110 标准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。 THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。

4、热压器/无偏压 HAST

热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。 与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。 与这些测试不同的是,不会对部件施加偏压。

5、高温存储

HTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期可靠性。 与 HTOL 不同,器件在测试期间不在运行条件下。

6、静电放电 (ESD)

静电荷是静置时的非平衡电荷。 通常情况下,它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。 其结果是不平衡的带电条件,也称为静电荷。

当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。

当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅氧化物、金属层和接点。

 

JEDEC 通过两种方式测试 ESD:

1. 人体模式 (HBM)

一种组件级应力,用于模拟人体放电累积的静电荷通过器件到地面的行为。

人体模式(HBM)

2. 带电器件模型(CDM)

- 一种组件级应力,根据 JEDEC JESD22-C101 规范,模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。


综上所述、根据鸿怡电子多年针对芯片可靠性测试座socket的制作经验,HTOLHAST属于芯片老化测试下面的其中两种,这里需要记住的重点知识:芯片不一定做HTOL测试或者HAST测试,但一定会进行芯片老化测试,所以各位芯片测试工程师在进行芯片测试的时候一定要搞清楚这点(最近很多客户的芯片测试工程师都在问这个问题)

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