QFN/DFN封装翻盖/下压结构测试座支持EEPROM,驱动器IC,电源IC等
鸿怡电子QFN芯片测试座工程师介绍:QFN芯片测试座、老化座、烧录座—009系列,下压开窗结构,适用自动化测试机台
QFN芯片测试座特点与参数:
1、Socket壳体:PEI
2、弹片材料:铍铜
3、弹片镀层:镍金
4、操作压力:2.0KGmin,与pin数成正比
5、接触阻抗:50mΩmax
6、耐压测试:700V AC for lminute
7、绝缘阻抗:1000mΩ500V DC
8、最大电流:1A
9、使用温度:-40°C-+155°C
10、机械寿命:10000次(机械测试)
QFN封装系列芯片测试座0.35mm间距:
QFN封装系列芯片测试座:0.4mm间距:
QFN封装系列芯片测试座:0.5mm间距:
QFN封装系列芯片烧录座:
QFN系列芯片老化测试座:(鸿怡QFN芯片测试座工程师提供资料)
适用规格:16~88pin,0.4、0.5引脚间距QFN封IC
支持频率:≤300Mhz
温度范围:-40℃~155℃
操作力压:35g每pin,PIN越多需要压力越大
额定电流:单PIN1A
接触电阻:≤100毫欧
绝缘电阻:DC500V1000兆欧以上
带PCB转接板烧录座: