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与传统硅基设备相比，第三代半导体材料制备的半导体设备不仅体积小，重量轻，而且功率输出密度高，能量转换效率高，可显著提高系统设备的性能。还具有大电流、大电压的特点，常见用于车规芯片和5G运用等，与之匹配的第三代半导体芯片老化测试的特点-自动化测试（ATE测试）-下压老化座应运而生。
第三代半导体
1、发展迅速，GaN，SiC功率器件（均有对应的老化座、测试座）逐渐开始大规模应用。与传统的硅衬底相比，第三代化合物半导体具有带宽大、穿透电场强度高、电子迁移率高、导热率高、介质常数小、抗辐射能力强等特点。因此，由第三代化合物半导体制成的功率装置具有较高的性能和效率。第三代半导体在射频和功率方面具有明显的应用前景。由于生产规模相对较小，生产技术需要成熟，产品价格相对较高，性价比较低，应用受到很大限制。
2、更适合制造高温、高频、抗辐射和大功率设备。与硅基半导体相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热性和更高的抗辐射性，特别是在汽车电子、快速充电和新能源领域。
3、主要是宽带半导体原料，如氮化镓、碳化硅和硒化锌。更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件（功率器件测试座/老化座）。据报道，国家计划大力支持第三代半导体产业的发展，“十四五”在规划教育、科研、开发、融资、应用等方面为第三代半导体的发展提供了广泛的支持。以实现产业独立。
特点：
以SiC第三代半导体材料是继硅材料之后最有前途的半导体材料之一。与硅材料相比，由碳化硅晶片制成的半导体器件具有高功率、耐高压、耐高温、高频、能耗低、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车（高温老化座、高频测试座），5G现代工业领域，如通信、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等，需求迅速增长。第三代半导体产业是中国“新基建”战略的重要组成部分，有望引发科技改革，重塑国际半导体产业格局。
碳化硅与硅相比（SiC）和氮化镓（GaN）第三代半导体具有效率高、能耗低、散热快等特点。第三代半导体设备可提供高压、高速开关和低导电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。
趋势：
目前国家芯片发展的趋势主要集中在大而厚的主控类芯片+flash+第三代半导体
在鸿怡电子第三代半导体测试座的众多行业运用过程中，整理了3个系列的封装老化测试座案例，仅供参考，欢迎留言讨论：
1、TO封装系列：TO247、TO252、TO263、TO 250测试座/老化座
2、QFN封装系列：QFN5*6、QFN8*8、QFN8*11.2、QFN 3.2*3.2、QFN2*3测试座/老化座
3、IGBT、IPM、DSC系列功率器件、高温、高频测试座/老化座
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