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: HMILU-DDR3-84pin-0.8mm-11.5×7.5mm合金翻盖测试座

DDR3-84ball内存颗粒测试座规格参数：
生产品牌厂家：鸿怡电子—HMILU
支持芯片封装：DDR3代/BGA84pin
内存颗粒pin脚：84pin
芯片引脚间距：0.8mm
适配芯片尺寸：11.5*7.5mm
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: HMILU-DDR200ball-0.8pin-10x15mm手机芯片测试治具

DDR200ball手机内存颗粒测试治具规格参数：
生产品牌厂家：鸿怡电子—HMILU
支持封装类型：DDR200ball/BGA200pin
芯片引脚：200pin
引脚间距：0.8mm
适配芯片尺寸...
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: HMILU-DDR96ball-0.8mm-7.5x13mm合金翻盖四工位测试治具

DDR96ball一拖四工位测试治具规格参数：
生产品牌厂家：鸿怡电子—HMILU
支持封装类型：DDR96ball/BGA96pin
芯片引脚：96pin
引脚间距：0.8mm
适配尺寸：7.5*13mm
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: HMILU-DDR96pin-0.8mm-7.5x13mm合金翻盖双工位测试治具—内存颗粒测试架

DDR96ball内存颗粒测试治具规格参数：
生产品牌厂家：鸿怡电子—HMILU
芯片封装形式：DDR/BGA
芯片引脚：96pin
芯片引脚间距：0.8mm
适配芯片尺寸：7.5*13mm
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: DDR4-96ball-0.8mm笔记本内存条测试治具

笔记本DDR内存颗粒测试治具规格参数：
生产品牌：HMILU
DDR4代一拖4工位
pin脚：96pin
引脚间距：0.8mm
适配尺寸：9*13mm
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: LPDDR2-168平板电脑测试治具 BGA-168测试治具翻盖探针测试治具

LPDDR2-168平板电脑测试治具 BGA-168测试治具翻盖探针测试治具
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: DDR3×8开短路测试治具，DDR开短路测试治具

------定制各种DDR/GDDR/LPDDR测试治具（最少间距可做到0.3mm，根据客户提供的PCB板单独设计）
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: DDR4 内存颗粒测试治具一拖八 8位DDR4内存条测试夹具导电胶

工厂大量现货！采用DDR4内存条公板 , 兼容性好！ DDR4内存条测试夹具结构采用合金座头、合金限位框、导电胶结构，呈点状，寿命可达10万次！
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: DDR3 8位内存颗粒测试治具一拖八 DDR3内存条测试夹具导电胶

DDR3*8位内存颗粒测试治具一拖八 DDR3导电胶内存条测试夹具
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: GDDR内存颗粒测试治具

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: DDR3×16一拖四内存颗粒测试治具

DDR3×16 一拖四POGO PIN探针结构测试治具
规格：
1、DDR3×16 96 Ball pitch：0.8
2、频率F：超过2400Mhz
3、适用于：三星、海力士、现代、华邦、美光、等各类内存颗粒
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: DDRDDR1内存颗粒测试治具 TSOP66芯片测试架

DDR1内存颗粒测试治具 TSOP66芯片测试架机顶盒路由器内存测试
工厂直销店铺欢迎批发质优价廉！DDR1机顶盒/路由器内存颗粒测试治具，欢迎大家联系洽谈！<...
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[行业资讯]LPDDR5内存标准发布：速度翻番、功耗降低2019年02月22日 13:58: 2月20日，JEDEC（固态存储协会）正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。如果匹配高端智能机常见的64bit bus，每秒可以传送51.2GB数据；要是PC的128bit BUS，每秒破100GB无压力。固态协会认为，LPD; 阅读（52）标签：

[鸿怡动态]DDR内存条治具上的SPD芯片作用？2019年02月14日 15:33: SPD是DDR内存条的重要组成部分，鸿怡电子生产的这款DDR内存条测试夹具，供客户测试DDR内存颗粒。其中内存条上的SPD芯片也起着至关重要的作用。什么是SPD？ 1. SPD是SERIAL PRESENCE DETECT的缩写。中文意味着模块存在的连续检测。也就是说，存储器插槽中的模块的信息由上述IIC串行接口的EEPROM检查。在这种情况下，必须将与模块相关的信息记录在EEPROM中。习惯上，我们称之为EEPROM IC SPD。它是Serial Pre; 阅读（738）标签：

[鸿怡动态]DDR3/4内存条测试方法及其测试治具2019年01月09日 16:11: 如今，存储器件在计算机、汽车与消费电子产品上可谓无所不在。其中DDR SDRAM，是最常用的存储器设计技术之一，而随着该技术的发展，其传输速率在日益加快，功耗在日益降低。传输速度加快使得此类存储器的验证难度呈指数上升。那么DDR内存的测试方法有哪些呢？ JEDEC规范定义了DRAM的引脚或球必须满足的电气与时序方面的要求。一些较新的DDR DRAM采用了精细球栅阵列(FBGA)封装，此封装下的焊接球很难接触。因此，我们建议测量时，探头应尽可能接近DRAM的球状焊点。通常，; 阅读（454）标签：

[行业资讯]GDDR6即将推出2018年12月13日 18:48: GDDR6内存颗料即将推出。 GDDR6内存颗料测试座和测试夹具即将推出。根据国外媒体“AnandTech”的报道，显卡存储器的发展在人工智能和自动驾驶汽车需求日益增长的情况下变得越来越活跃。最近，Cadence宣布已成功简化了三星7LPP工艺技术上的GDDR6 IP芯片。该报告指出，Cadence的GDDR6 IP解决方案包括该公司的Denali内存控制器，物理接口和验证IP。控制器和PHY每个引脚可处理高达16 Gbps的数据传输速率，并具有低误; 阅读（66）标签：

[鸿怡动态]DDR开短路测试治具2018年11月22日 18:14: 为大家介绍一款用于DDR3芯片的开短路测试治具. 首先，它适配的芯片规格如下，可供参考: 1、DDR3×878 Ball pitch：0.8 2、频率F：超过2800Mhz 3、适用于：三星、海力士、华邦、镁光等各类内存颗粒开短路测试治具的材料与特性如下： 1、Socket材料：PES、PEI 2、探针：材料：针管：磷铜针头：铍铜弹簧：琴钢丝电气性能：额定电流：1.5A 接触阻抗：50 mohm（最大工作行程状态下）机械性能：压力：28g&plu; 阅读（114）标签：

[行业资讯]SK海力士1Ynm DDR4芯片完成：8Gb容量，功耗降低15％2018年11月20日 18:08: 11月12日，SK海力士宣布已开发出基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。该芯片支持高达3200Mbps或3200MHz，并声称可提供最佳性能和容量密度。在技术指标方面，与1Xnm相比，1Ynm芯片的生产率提高了20％，功耗降低了15％。 SK海力士还表示，新的1Ynm芯片还显着提高了传感器的精度，调整了晶体管结构，并降低了数据传输的错误率。据该官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年第一季度发货，将首先用于服务器和PC产品，最后用于手机; 阅读（87）标签：

[行业资讯]DDR5来了，2020年将会大规模量产2018年11月15日 17:01: SK海力士宣布成功开发1ynm 16Gb DDR5 DRAM，支持5200Mbps的数据传输速率，比上一代的3200Mbps快约60％，每秒可处理41.6GB数据或11个全高清视频文件（每个3.7GB）。 SK海力士1ynm 16Gb DDR5 DRAM是满足JEDEC标准的DDR5产品，并将于2020年大规模量产。之前SK海力士推出的8Gb DDR4 DRAM也是采用的1ynm工艺技术。随着1ynm技术的扩大应用，将有助于提高SK海力士在业界的领先竞争优势。与DDR; 阅读（134）标签：

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